上海 應用訊息
上海伯東 KRI 射頻離子源應用于 12英寸和8英寸金屬蝕刻機中
上海伯東代理美國考夫曼 KRI 大口徑射頻離子源 RFICP 220, RFICP 380 成功應用于 12英寸和 8英寸磁存儲器刻蝕機, 8英寸量產型金屬刻蝕機中, 實現 8英寸 IC 制造中的 Al, W 刻蝕工藝, 適用于 IC, 微電子,光電子, MEMS 等領域.
作為蝕刻機的核心部件, KRI 射頻離子源提供高能量, 低濃度的離子束, 單次工藝時間更長, 滿足各種材料刻蝕需求! 實現刻蝕過渡金屬及非揮發性金屬的需求, 可處理晶圓尺寸最大 300 mm, 適用于磁性存儲器 MRAM 及磁傳感器的研發及生產.
KRI 射頻離子源 RFICP 220, RFICP 380 技術參數:
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型號 |
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Discharge 陽極 |
RF 射頻 |
RF 射頻 |
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離子束流 |
>800 mA |
>1500 mA |
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離子動能 |
100-1200 V |
100-1200 V |
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柵極直徑 |
20 cm Φ |
38 cm Φ |
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離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
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流量 |
10-40 sccm |
5-50 sccm |
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通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型壓力 |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
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長度 |
30 cm |
39 cm |
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直徑 |
41 cm |
59 cm |
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中和器 |
LFN 2000 |
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1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項專利. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.
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