應用訊息

上海伯東 KRI 射頻離子源應用于 12英寸和8英寸金屬蝕刻機中
上海伯東代理美國考夫曼 KRI 大口徑射頻離子源 RFICP 220, RFICP 380 成功應用于 12英寸和 8英寸磁存儲器刻蝕機, 8英寸量產型金屬刻蝕機中, 實現 8英寸 IC 制造中的 Al, W 刻蝕工藝, 適用于 IC, 微電子,光電子, MEMS 等領域.

作為蝕刻機的核心部件, KRI 射頻離子源提供高能量, 低濃度的離子束, 單次工藝時間更長, 滿足各種材料刻蝕需求! 實現刻蝕過渡金屬及非揮發性金屬的需求, 可處理晶圓尺寸最大 300 mm, 適用于磁性存儲器 MRAM 及磁傳感器的研發及生產.
離子源安裝于金屬蝕刻機
KRI 射頻離子源 RFICP 220, RFICP 380 技術參數:

型號

RFICP 220

RFICP 380

Discharge 陽極

RF 射頻

RF 射頻

離子束流

>800 mA

>1500 mA

離子動能

100-1200 V

100-1200 V

柵極直徑

20 cm Φ

38 cm Φ
最大口徑射頻離子源

離子束

聚焦, 平行, 散射

流量

10-40 sccm

5-50 sccm

通氣

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型壓力

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

長度

30 cm

39 cm

直徑

41 cm

59 cm

中和器

LFN 2000


1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項專利. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.

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上海伯東:葉小姐                                   臺灣伯東:王小姐
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