應用訊息

上海伯東美國 KRI 離子源又獲半導體離子蝕刻 IBE 訂單!
上海伯東代理美國 KRI 考夫曼離子源 RFICP 220 安裝于離子蝕刻機 IBE 中, 實現半導體 8寸晶圓 wafer 的線路刻蝕.
KRI 離子源又獲半導體離子蝕刻 IBE
------------------------------- 上海伯東 KRI 射頻離子源 RFICP 220 ------------------------------

KRI 射頻離子源 RFICP 220 高能量柵極離子源, 離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 800 mA. 適用于預清洗,
輔助鍍膜, 濺鍍和蒸發鍍膜, 離子蝕刻.

KRI 離子源

型號

RFICP 220

Discharge 陽極

RF 射頻

離子束流

>800 mA

離子動能

100-1200 V

柵極直徑

20 cm Φ

離子束

聚焦, 平行, 散射

流量

10-40 sccm

通氣

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型壓力

< 0.5m Torr

長度

30 cm

直徑

41 cm

中和器

LFN 2000


若您需要進一步的了解 KRI 射頻離子源, 請參考以下聯絡方式
上海伯東: 葉小姐                                  臺灣伯東: 王小姐
T: +86-21-5046-3511 ext 109             T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                          F: +886-3-567-0049
M: +86 1391-883-7267                       M: +886-939-653-958
上海伯東版權所有, 翻拷必究! 

丝瓜视频污安卓下载-丝瓜视频污版-丝瓜视频污版下载-丝瓜视频污成人