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上海伯東美國 KRI 離子源又獲半導體離子蝕刻 IBE 訂單!
上海伯東代理美國 KRI 考夫曼離子源 RFICP 220 安裝于離子蝕刻機 IBE 中, 實現半導體 8寸晶圓 wafer 的線路刻蝕.
------------------------------- 上海伯東 KRI 射頻離子源 RFICP 220 ------------------------------
KRI 射頻離子源 RFICP 220 高能量柵極離子源, 離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 800 mA. 適用于預清洗,
輔助鍍膜, 濺鍍和蒸發鍍膜, 離子蝕刻.
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型號 |
RFICP 220 |
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Discharge 陽極 |
RF 射頻 |
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離子束流 |
>800 mA |
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離子動能 |
100-1200 V |
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柵極直徑 |
20 cm Φ |
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離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
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流量 |
10-40 sccm |
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通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型壓力 |
< 0.5m Torr |
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長度 |
30 cm |
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直徑 |
41 cm |
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中和器 |
LFN 2000 |
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上海伯東: 葉小姐 臺灣伯東: 王小姐
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