KRI 考夫曼離子源

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項專利. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.
霍爾離子源 射頻離子源 考夫曼離子源 離子源自動控制器
考夫曼離子源創始人 Dr. Harold Kaufman
1926 年在美國出生 |
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KRI 霍爾離子源 eH 系列
霍爾離子源無柵極, 高濃度, 低能量寬束型離子源
型號 |
eH 200 |
eH 400 |
eH 1000 |
eH 2000 |
eH 3000 |
離子束流 |
2A |
5A |
10A |
10A |
20A |
離子動能 |
30-300 V |
50-300 V |
100-300 V |
50-250 V |
50-250 V |
柵極直徑 |
2.5” |
3.7” |
5.7” |
5.7” |
9.7” |
離子束 |
> 45°散射 |