KRi 離子源|伯東真空

KRI 考夫曼離子源

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項專利. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.
霍爾離子源射頻離子源考夫曼離子源離子源自動控制器

考夫曼離子源創始人 Dr. Harold Kaufman

產品詳細資料

1926 年在美國出生
1951 年加入美國 NASA 路易斯研究中心
1971 年考夫曼博士獲得美國宇航局杰出服務獎
1978 年考夫曼博士成立了 Kaufman & Robinson,Inc 公司, 研發生產商用離子源
2016 年入選美國太空總署 Grenn 研究中心名人堂
2018 年1月逝世

KRI 射頻離子源 RFICP 系列

產品詳細資料

射頻離子源, 提供高能量, 低濃度的離子束, 單次工藝時間更長, 適合多層膜的制備和離子濺鍍鍍膜

型號	RFICP 40	RFICP 100	RFICP 140	RFICP 220	RFICP 380
離子束流	>100 mA	>350 mA	>600 mA	>800 mA	>1500 mA
離子動能	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V
柵極直徑	4 cm Φ	10 cm Φ	14 cm Φ	20 cm Φ	30 cm Φ
離子束	聚焦, 平行, 散射

KRI 考夫曼離子源 KDC 系列

產品詳細資料

離子源通過加熱燈絲產生離子束, 低濃度高能量寬束型離子源

型號	KDC 10	KDC 40	KDC 75	KDC 100	KDC 160
離子束流	>10 mA	>100 mA	>250 mA	>400 mA	>650 mA
離子動能	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V
柵極直徑	1 cm Φ	4 cm Φ	7.5 cm Φ	12 cm Φ	16 cm Φ
離子束	聚焦, 平行, 散射

KRI 霍爾離子源 eH 系列

產品詳細資料

霍爾離子源無柵極, 高濃度, 低能量寬束型離子源

型號	eH 200	eH 400	eH 1000	eH 2000	eH 3000
離子束流	2A	5A	10A	10A	20A
離子動能	30-300 V	50-300 V	100-300 V	50-250 V	50-250 V
柵極直徑	2.5”	3.7”	5.7”	5.7”	9.7”
離子束	> 45°散射